前不久三星发布新一代NGFF接口 SSD，其读写速度高达1.4GB/秒，性能惊艳全场。我们从SSD和主板厂商的观望态度分析，英特尔推出的NGFF接口要么是恶魔，要么是天使。三星为此做了另一手准备，在现有SATA3.0接口上继续改良SSD，推出原有840系列SSD的升级版－－ 三星840 EVO SSD。

巅峰性能爆发 三星840 EVO 1TB SSD首测

　　升级改良版的三星840 EVO SSD的最大容量翻倍至1TB，保留最小120GB容量；它在硬件层面上实现主控、闪存的换代，从根本上推动扩容、提高性能；最后它在独门的加速软件上着手，实现SSD闪存作为高速缓存，为深度应用环境提速做准备。

三星840 EVO SSD的硬件、性能改进明细

　　这款改良性能的三星840 EVO SSD包括120GB,250GB,500GB, 750GB和1TB共5种容量的产品，本文测试的SSD即为该款1TB版本。下面我们将进入三星840 EVO 1TB SSD的技术解析、性能对比分析以及点评总结环节。

　　    诠释EVO 源自四位一体设计方案

　　三星840 EVO SSD中的“EVO”全称是：Evolution，其含义是发展、进化的意思，恰如其分的反映它是由840系SSD的进化升级而来。另外“EVO”是一款跑车的品牌，也是速度的一种体现。

“主控、闪存、缓存、固件”自主方案

　　那么三星如何实现进化升级？我们需要从三星的“主控、闪存、缓存、固件”四位一体的自主研发、生产谈起。

　　三核心ARM Cortex-R4主控

三星S4LN045X01-8030(MEX)主控芯片

　　三星本身具备手机、平板ARM架构处理器的研发生产能力，MEX主控是在成熟的MDX方案基础上进一步提升频率。它内建三个ARM Cortex-R4核心，工作频率提升至400MHz。

　　世界最小10nm 高速闪存芯片

三星单颗128GB 3bit MLC闪存

　　三星840 EVO采用今年刚刚投产的世界最小10nm 128GB高速闪存芯片，它基于Toggle DDR2.0闪存架构。与现有三星840系SSD相比，新款EVO SSD在连续写入性能方面提升了3倍之多。

　　最高支持1GB独立缓存

三星1GB 独立缓存

　　SSD的独立缓存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要将映射表编得越大，对缓存的容量有更大的需求。最大容量为512GB的三星840系列SSD，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的840 EVO SSD，则拥有1GB独立缓存。

　　针对840和EVO的不同固件支持

　　MDX和MEX硬件参数上的不同，意味着840 EVO SSD需要升级的原有固件(Upgraded firmware)。同时它为了匹配10nm 闪存，设计最新的、更先进的信号处理算法(latest generation Advanced Signal Processing)。

　　进化结果：

　　三星840 EV0 SSD通过四位一体的全面进化，迸发出强悍性能，仅写入速度一项就提高1.6-3.1倍之多，随机读写能力也有不同程度提高。下面我们进入相关测试成绩对比分析：

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